
来源:米乐app下载 发布时间:2026-03-22 04:59:49
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国家知识产权局信息数据显现,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;北京大学请求一项名为“交融忆阻器的新式场效应晶体管及其制备办法”的专利,公开号CN121645972A,请求日期为2025年10月。
专利摘要显现,本发明供给一种交融忆阻器的新式场效应晶体管及其制备办法,归于集成电路微纳电子器材技术领域,交融忆阻器的新式场效应晶体管包含:衬底;栅电极,坐落衬底上;栅介质层,坐落栅电极上;漏电极,坐落栅介质层上;沟道层,坐落漏电极上;源电极和榜首忆阻电极,源电极和榜首忆阻电极均坐落沟道层上;其间,漏电极复用为第二忆阻电极,榜首忆阻电极与漏电极的垂向投影至少部分堆叠,沟道层设置于源电极与漏电极之间,并设置于榜首忆阻电极与漏电极之间。本发明突破了传统晶体管的亚阈值摆幅极限,大大下降器材功耗并提高开关功能。
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